p n是什么线_p n是什么线

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英迪迈取得高效节能型P+N沟道驱动电路专利,实现高效节能金融界2024年3月20日消息,据国家知识产权局公告,英迪迈智能驱动技术无锡股份有限公司取得一项名为“一种高效节能型P+N沟道驱动电路“,授权公告号CN107959491B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示,本发明公开一种高效节能型P+N沟道驱动电路,包括上桥电路和下桥电路;...

特色花园式场段、P+R停车场……地铁6号线带动周边区域品质升级!P+R停车场4处,提供机动车位共334个。 同时,为了充分激发地铁出入口的城市承载功能,扮靓城市的容貌,6号线结合居民实际需求和地铁占地情况,在灵山湾站、北门外站、九顶山站、抓马山站周边打造了4处口袋公园。坚持以人为本,融合公园城市建设以及儿童友好与适老化设计理念,打...

缓解拥堵降低出行成本 南京首个“P+R”停车场项目启用人民网南京6月12日电 (记者马晓波)12日,记者从南京市发改委获悉,为鼓励市民选择公共交通工具出行,减轻道路交通压力,马群综合换乘中心P+R停车场正式启用,这是南京首个P+R(换乘停车)停车场项目。P+R,即Park and Ride,意思是“停车换乘公共交通”。通过P+R换乘,市民可以采取...

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沐邦高科获得实用新型专利授权:“一种TOPCon电池”P+掺杂层,设于硅衬底的正面;隧穿氧化层,设于硅衬底的背面;N+掺杂层,设于隧穿氧化层远离硅衬底的一侧;N++重掺杂层,设于N+掺杂层中;以及电极组件,包括第一电极和第二电极,第一电极的一端设于硅衬底远离隧穿氧化层的一侧,第二电极的一端设于N++重掺杂层上;其中,所述N+掺杂层为...

正宇光伏申请新型选择性钝化接触电池结构及其制备方法专利,在 N 型...包括如下操作步骤:采用 N 型硅片抛光 5~10μm;背面 PECVD 法掺杂 P+‑poly;正面酸洗及抛光;正面 PECVD 法掺杂 N+‑poly;对正面非接触区激光开膜,去除表面的 mask 氧化层后进行 poly 去除清洗;再对正面激光开膜区激光开膜去除隧穿氧化层;对正面激光开膜区进行抛光后制绒;双面...

一道新能申请一项 IBC 电池及其制备方法专利,解决现有 IBC 电池金属...方法包括:在硅片背面形成相互间隔的 P+发射极和 N+发射极后,在 P+发射极和 N+发射极表面形成介质层;在所述介质层上方放置转印衬底,所述转印衬底中包括金属浆料;将所述转印衬底中的金属通过激光转印至所述介质层中,以形成与所述 P+发射极接触的正电极种子层、以及与所述 N+...

江苏吉莱微电子取得双向保护器件专利,进一步提高了ESD保护能力包括最底部的P+衬底,所述P+衬底上方设有N+掺杂区,所述P+衬底和N+掺杂区之间、所诉N+掺杂区内部设有多组并列的短隔离槽,位于N+掺杂区内部的短隔离槽贯穿N+掺杂区;所述N+掺杂区上方设有双层金属布线。本实用新型相较于现有的通用型结构,利用短隔离槽隔离和双层金属布线...

扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利,降低...在器件的的 P 体区和 P+沟道区之间形成一个薄的 N+层,关态状态下 G 极电极不加电压,该 N+层在 P 体区和 P+沟道区的夹持下被完全耗尽,不导电,开态状态下 G 极电极加正电压,栅氧一侧 P+沟道区形成反型层导电沟道,同时由于 G 极电极加正电压,P 体区和 P+沟道区夹持的 N+层由完全...

上海贝岭申请内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法专利,降低了...N型衬底、N+缓冲层、多层N‑外延层、P型体区、JFET区、P+接触区、N+源区、栅氧化层、N型多晶硅栅极、二氧化硅层间介质、P型多晶硅和金属化源极;JFET区位于两个P型体区的中间;P型多晶硅设于两个N型多晶硅栅极的中间位置,位于JFET区的上方,P型多晶硅与JFET区形成异...

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株洲中车时代半导体申请SiC MOSFET结构及其制造方法专利,降低功耗所述Si C MOSFET结构的元胞包括:从下到上依次设置的N+衬底、N‑外延层、P肼区和N+区;延伸到N‑外延层内的至少1个沟槽,每个沟槽具有相对的侧壁和底部;位于N‑外延层内的所述沟槽的侧壁和底部具有P+注入区;所述沟槽内表面设置有栅氧层和栅极,所述栅极包括两部分,背离N‑...

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