pn结_pn结

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沈阳仪表科学研究院取得一种PN结压阻式扩散硅压力传感器及制作...金融界2024年11月26日消息,国家知识产权局信息显示,沈阳仪表科学研究院有限公司取得一项名为“一种PN结压阻式扩散硅压力传感器及制作方法”的专利,授权公告号 CN 110823422 B,申请日期为2019年12月。

北京光智元科技取得测试装置专利,解决测试组件与待测试PN结组件...金融界2024年11月12日消息,国家知识产权局信息显示,北京光智元科技有限公司取得一项名为“测试装置”的专利,授权公告号CN 221976999 U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本申请实施例提供一种测试装置。测试装置包括测试组件,待测试PN结组件,以及第一线缆,第一线缆的...

华体科技申请切换式LED模组专利,增加紫外LED灯的适用场景N端及位于其间的PN结,其P端与N端分别通过导线连接有引脚;至少一个照明发光体,包括P端、N端及位于其间的PN结,其P端与N端也分别通过导线连接引脚,且照明发光体与紫外发光体连接同侧引脚的两端属性相异。切换式LED模组包括:升降板,竖向移动设置,LED灯在升降板上表面阵列...

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用于光通信与光计算,我国在国际上首创新型场效应调控光电二极管钛媒体App 5月6日消息,从中国科学技术大学获悉,该校孙海定教授课题组与武汉大学刘胜院士团队合作,在国际上首次提出了新型三电极光电PN结二极管结构,构筑载流子调制新方法,实现了第三端口外加电场对二极管光电特性的有效调控。相关研究成果日前在线发表于期刊《自然•电子...

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扬杰科技申请一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法专利,...本发明在SiC UMOSFET中形成了PN结二极管和肖特基二极管两种结构,使得SiC UMOSFET在续流过程中肖特基二极管打开,作为泄流路径,降低了续流损耗,而在通过大浪涌电流时,PN结二极管打开,作为另一泄流路径,提高了器件的抗浪涌电流能力。并且本发明中沟槽区表面的P区也避免...

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南玻A申请绿色多晶电池片制备方法专利,使用等离子体增强化学气相...包括以下步骤:对多晶硅片依次进行表面制绒、扩散制备PN结、酸刻蚀去除磷硅玻璃层和通过臭氧形成二氧化硅薄膜;采用等离子体增强化学气相沉积方法二氧化硅薄膜的表面依次沉积第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜和第三氮化硅薄膜,经丝网印刷烧结电注入,得所述绿色多晶电池片。...

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●﹏● 比亚迪申请电极及其制作方法、电化学装置专利,可在满足快充性能或...活性层包括导电层和混合在导电层中的多个PN结,PN结包括P型硅与P型硅连接的N型硅,P型硅指向N型硅的方向为第一方向,多个PN结中,预定数量的PN结的第一方向的分量与集流体的法向重合。通过设置活性层包括导电层和混合在导电层中的多个PN结,并设置预定数量的PN结的第一方...