igbt的电压上升率_igbt的电压及电流参数

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ˋ△ˊ 东微半导获得发明专利授权:“IGBT器件”具体公开了一种IGBT器件,n型半导体层内的若干个栅沟槽,位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅,位于栅沟槽的上部内的栅极,栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间互相绝缘隔离;部分屏蔽栅外接栅极电压并定义为第一屏蔽栅,剩余的屏蔽栅外接发射极电压并定义为第二屏蔽栅,第一屏蔽栅与第二屏蔽栅...

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成都高投芯未取得一种 IGBT 的极限电压测试系统及方法专利金融界 2024 年 11 月 21 日消息,国家知识产权局信息显示,成都高投芯未半导体有限公司取得一项名为“一种 IGBT 的极限电压测试系统及方法”的专利,授权公告号 CN 118688601 B,申请日期为 2024 年 8 月。

成都高投芯未申请IGBT的极限电压测试系统及方法专利,可缩短测试时长金融界2024年9月26日消息,国家知识产权局信息显示,成都高投芯未半导体有限公司申请一项名为“一种IGBT的极限电压测试系统及方法”的专利,公开号CN 118688601 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明提出一种IGBT的极限电压测试系统及方法,包括管理设备、电压源设...

●▽● 海信家电集团申请 IGBT 功率件的电压测试装置专利,提高栅线信号的...金融界 2024 年 9 月 13 日消息,天眼查知识产权信息显示,海信家电集团股份有限公司申请一项名为“IGBT 功率件的电压测试装置“,公开号 CN202410637843.6,申请日期为 2024 年 5 月。专利摘要显示,本发明公开了一种 IGBT 功率件的电压测试装置,包括:控制板、散热器和电压检测组...

＞▂＜ 北汽新能源取得IGBT模块过压的控制方法、装置及电动汽车专利,实现...所述电机控制器上IGBT模块的工作参数,以及所述电机控制器驱动的电机的工作参数;根据当前采集的所述电机控制器的工作参数、所述IGBT模块的工作参数和所述电机的工作参数,以及,预先训练的径向基函数RBF神经网络,获得所述IGBT模块的当前的尖峰电压;在根据相邻的多个所述尖...

中恒电气取得一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法专利,...涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法,步骤包括:S1、确定充电电量;S2、计算等效寄生电容;S3、计算驱动电阻值。本方法可以利用驱动器固有的寄生电容和使用场合的设计电压的改变量快速地求出最优化的驱动电阻值,功率大部分并不损耗在驱动电阻上,又避免了尖峰电...

...IGBT结温估算方法及系统专利,能够解决现有技术中结温估算准确率低...江西五十铃汽车有限公司取得一项名为“一种IGBT结温估算方法及系统“,授权公告号CN116992819B,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本发明公开了一种IGBT结温估算方法及系统,涉及汽车技术领域,该方法包括:测量收集IGBT模块的母线电压波形,并将所述母线电压波形输入至信...

...工业设备股份有限公司申请并联IGBT三供电电源专利,消除电压谐波金融界2024年11月4日消息,国家知识产权局信息显示,上海新研工业设备股份有限公司申请一项名为“并联IGBT三供电电源”的专利,公开号 C... 与第二谐振电路的两个输入端相连;第三逆变电路的两个输出端分别与第三谐振电路的两个输入端相连。本申请消除电压谐波,并方便布局。

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∩△∩ 华北电力申请IGBT短路电流上升过程监测专利,更经济、安全国家电网有限公司申请一项名为“IGBT短路电流上升过程的监测方法及装置”的专利,公开号CN 118837701 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明提供一种IGBT短路电流上升过程的监测方法及装置。该IGBT短路电流上升过程的监测方法包括:根据栅极电源电压、栅极开通电...

上海贝岭:加快推出涵盖IGBT、MOSFET、EEPROM等多个产品系列的...金融界9月26日消息,有投资者在互动平台向上海贝岭提问:请问公司今年推出了哪些车规级芯片?哪些是高端产品?公司回答表示:公司加快车规级芯片的推出,涵盖IGBT、MOSFET、EEPROM、电源管理电路、电压基准、驱动电路等多个产品系列。