p n码_p n码是什么意思

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英迪迈取得高效节能型P+N沟道驱动电路专利,实现高效节能金融界2024年3月20日消息,据国家知识产权局公告,英迪迈智能驱动技术无锡股份有限公司取得一项名为“一种高效节能型P+N沟道驱动电路“,授权公告号CN107959491B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示,本发明公开一种高效节能型P+N沟道驱动电路,包括上桥电路和下桥电路;...

正宇光伏申请新型选择性钝化接触电池结构及其制备方法专利,在 N 型...包括如下操作步骤:采用 N 型硅片抛光 5~10μm;背面 PECVD 法掺杂 P+‑poly;正面酸洗及抛光;正面 PECVD 法掺杂 N+‑poly;对正面非接触区激光开膜,去除表面的 mask 氧化层后进行 poly 去除清洗;再对正面激光开膜区激光开膜去除隧穿氧化层;对正面激光开膜区进行抛光后制绒;双面...

北京亦庄加快建设数据基础制度先行区 推进2000P算力中心建设人民网北京2月1日电 (记者池梦蕊)2月1日,记者从北京市政府新闻办公室举行的新闻发布会上获悉,北京亦庄(北京经济技术开发区)正加快建设2000P(1P约等于每秒1000万亿次的计算速度)规模公共智能算力中心,构建“1+3+N”体系,推进数据基础制度先行区建设。北京经济技术开发区工...

沐邦高科获得实用新型专利授权:“一种TOPCon电池”P+掺杂层,设于硅衬底的正面;隧穿氧化层,设于硅衬底的背面;N+掺杂层,设于隧穿氧化层远离硅衬底的一侧;N++重掺杂层,设于N+掺杂层中;以及电极组件,包括第一电极和第二电极,第一电极的一端设于硅衬底远离隧穿氧化层的一侧,第二电极的一端设于N++重掺杂层上;其中,所述N+掺杂层为...

ゃōゃ 一道新能申请一项 IBC 电池及其制备方法专利,解决现有 IBC 电池金属...方法包括:在硅片背面形成相互间隔的 P+发射极和 N+发射极后,在 P+发射极和 N+发射极表面形成介质层;在所述介质层上方放置转印衬底,所述转印衬底中包括金属浆料;将所述转印衬底中的金属通过激光转印至所述介质层中,以形成与所述 P+发射极接触的正电极种子层、以及与所述 N+...

江苏吉莱微电子取得双向保护器件专利,进一步提高了ESD保护能力包括最底部的P+衬底,所述P+衬底上方设有N+掺杂区,所述P+衬底和N+掺杂区之间、所诉N+掺杂区内部设有多组并列的短隔离槽,位于N+掺杂区内部的短隔离槽贯穿N+掺杂区;所述N+掺杂区上方设有双层金属布线。本实用新型相较于现有的通用型结构,利用短隔离槽隔离和双层金属布线...

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扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利,降低...在器件的的 P 体区和 P+沟道区之间形成一个薄的 N+层,关态状态下 G 极电极不加电压,该 N+层在 P 体区和 P+沟道区的夹持下被完全耗尽,不导电,开态状态下 G 极电极加正电压,栅氧一侧 P+沟道区形成反型层导电沟道,同时由于 G 极电极加正电压,P 体区和 P+沟道区夹持的 N+层由完全...

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上海贝岭申请内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法专利,降低了...N型衬底、N+缓冲层、多层N‑外延层、P型体区、JFET区、P+接触区、N+源区、栅氧化层、N型多晶硅栅极、二氧化硅层间介质、P型多晶硅和金属化源极;JFET区位于两个P型体区的中间;P型多晶硅设于两个N型多晶硅栅极的中间位置,位于JFET区的上方,P型多晶硅与JFET区形成异...

株洲中车时代半导体申请SiC MOSFET结构及其制造方法专利,降低功耗所述Si C MOSFET结构的元胞包括:从下到上依次设置的N+衬底、N‑外延层、P肼区和N+区;延伸到N‑外延层内的至少1个沟槽,每个沟槽具有相对的侧壁和底部;位于N‑外延层内的所述沟槽的侧壁和底部具有P+注入区;所述沟槽内表面设置有栅氧层和栅极,所述栅极包括两部分,背离N‑...

捷捷微电取得可控硅芯片专利,节省了芯片面积,降低了制造成本,提高了...所述N+型阴极区设置在P型阴极区上端面的内侧,所述N+型截止环设置在N‑型硅衬底上端围绕在P型阳极区、P型阴极区外侧,所述阳极电极设置在P型阳极区上端面,所述阴极电极设置在N+型阴极区上端面。本发明可控硅芯片将有源区设置在芯片正面,取消了P+型穿通环结构的设计,且无...