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发光的二极管正负极_发光的二极管正负极

时间:2024-12-28 23:33 阅读数:4404人阅读

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江苏第三代半导体研究院申请具有全包式DBR结构的微型发光二极管及...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“具有全包式DBR结构的微型发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN 119050219 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种具有全包式DBR结构的微型发光二...

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╯△╰ 歌尔视显申请微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置专利,所...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,青岛歌尔视显科技有限公司申请一项名为“微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置”的专利,公开号CN 119050216 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明公开了一种微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置...

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●ω● 江西兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法等专利,提高 LED ...金融界 2024 年 12 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、LED”的专利,公开号 CN 119050222 A,申请日期为 2024 年 10 月。专利摘要显示,本发明涉及光电技术领域,公开了一种发光二极管外延片及其制备方法...

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江苏第三代半导体研究院申请掩模板的设计和微型发光二极管的制备...金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“掩模板的设计方法和微型发光二极管的制备方法”的专利,公开号CN 119045272 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明涉及一种掩模板的设计方法和微型发光二极管的制...

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厦门乾照光电申请微型发光二极管外延片及其制作方法专利,可提高...金融界 2024 年 10 月 18 日消息,国家知识产权局信息显示,厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种微型发光二极管外延片及其制作方法”的专利,公开号 CN 118782710 A,申请日期为 2024 年 6 月。专利摘要显示,本发明提供了一种微型发光二 极管外延片及其制作方法,本申请提...

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咏华宇取得基于图像处理的发光二极管照明质量检测方法专利金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市咏华宇电子有限公司取得一项名为“基于图像处理的发光二极管照明质量检测方法”的专利,授权公告号 CN 118310719 B,申请日期为2024年4月。

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●▽● 浦亚照明申请高效散热的发光二极管封装结构专利,提高发光二极管的...金融界 2024 年 9 月 18 日消息,天眼查知识产权信息显示,江苏浦亚照明科技股份有限公司申请一项名为“一种高效散热的发光二极管封装结构“,公开号 CN202410638685.6,申请日期为 2024 年 5 月。专利摘要显示,本发明公开了一种高效散热的发光二极管封装结构,本发明属于发光二...

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创新服务股份申请微发光二极管的巨量转移方法及装置专利,使 LED ...金融界 2024 年 11 月 15 日消息,国家知识产权局信息显示,创新服务股份有限公司申请一项名为“微发光二极管的巨量转移方法及装置”的专利,公开号 CN 118943252 A,申请日期为 2023 年 5 月。专利摘要显示,本发明公开了一种微发光二极管的巨量转移方法,包括:驱使一温控粘附板贴...

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湘能华磊取得一种氮化镓基发光二极管的制作方法专利金融界2024年11月25日消息,国家知识产权局信息显示,湘能华磊光电股份有限公司取得一项名为“一种氮化镓基发光二极管的制作方法”的专利,授权公告号 CN 115332406 B,申请日期为2022年8月。

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华星光电取得发光二极管的转移方法专利金融界2024年11月2日消息,国家知识产权局信息显示,惠州华星光电显示有限公司和深圳市华星光电半导体显示技术有限公司取得一项名为“发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板”的专利,授权公告号CN 114141930 B,申请日期为2021年11月。

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