发光的二极管_发光的二极管

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江西兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法等专利,提高 LED ...金融界 2024 年 12 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、LED”的专利,公开号 CN 119050222 A,申请日期为 2024 年 10 月。专利摘要显示,本发明涉及光电技术领域,公开了一种发光二极管外延片及其制备方法...

＞△＜ 歌尔视显申请微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置专利,所...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,青岛歌尔视显科技有限公司申请一项名为“微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置”的专利,公开号CN 119050216 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明公开了一种微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置...

华引芯申请车规级发光二极管芯片专利,降低生产制造成本金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,华引芯(张家港)半导体有限公司、华引芯(武汉)科技有限公司申请一项名为“一种车规级发光二极管芯片及其制备方法”的专利,公开号CN 119050221 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本申请提供一种车规级发光二极管芯片...

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江苏第三代半导体研究院申请具有全包式DBR结构的微型发光二极管及...金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“具有全包式DBR结构的微型发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN 119050219 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种具有全包式DBR结构的微型发光二...

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江苏第三代半导体研究院申请掩模板的设计和微型发光二极管的制备...金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“掩模板的设计方法和微型发光二极管的制备方法”的专利,公开号CN 119045272 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明涉及一种掩模板的设计方法和微型发光二极管的制...

粉紫实业申请LED发光二极管生产用引脚定位焊接专利,提高生产效率...金融界2024年11月29日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市粉紫实业有限公司申请一项名为“一种LED发光二极管生产用引脚定位焊接装置”的专利,公开号CN 119035912 A,申请日期为2024年11月。专利摘要显示,本发明涉及LED焊接生产技术领域,特别是一种LED发光二极管生产...

京东方华灿光电申请发光二极管及制备方法专利,提升发光二极管性能金融界 2024 年 11 月 28 日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(浙江)有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利,公开号 CN 119029129 A,申请日期为 2024 年 7 月。专利摘要显示,本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。该发光二极管...

瑞利光申请微型发光二极管结构专利,缩小微型发光二极管结构的出光...金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,瑞利光有限公司申请一项名为“微型发光二极管结构”的专利,公开号CN 119029122 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本发明提供一种微型发光二极管结构,其包含一第一发光层、一第二发光层、一第三发光层、一第二介电...

╯▽╰ 成都辰显光电申请发光二极管模组及其制作方法专利,提高遮光结构的...金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,成都辰显光电有限公司申请一项名为“发光二极管模组及其制作方法”的专利,公开号 CN 119029113 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本发明公开了一种发明发光二极管模组及其制作方法。该发光二极管模组包括:阵列基板...

京东方华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利,能提高 LED 的可靠...金融界 2024 年 11 月 28 日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(浙江)有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法”的专利,公开号 CN 119029112 A,申请日期为 2024 年 7 月。专利摘要显示,本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法,属于半导体技术领域。该发...

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